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キャンペーン情報
多彩なDC電源出力、負荷、基板実装面積などのバリエーションに対応した非絶縁降圧DC-DC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
入力電圧 | DC 12 V |
---|---|
出力電圧/電流 | 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A |
最適化 | 各設計は、50%負荷時の効率、100%負荷時の効率、および小型部品実装面積に最適化されています |
設計バリエーション | 24 |
デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。
※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2:CR5000BD上でデータ出力しています。
型番 | 製品 | 搭載部位 | 特長 |
---|---|---|---|
TPH3R203NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/3.2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPH4R003NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/4 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPH8R903NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/8.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPH11003NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/11 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPN4R303NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/4.3 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
TPN8R903NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/8.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
TPN11003NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/11 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
TPHR6503PL1 | MOSFET | ローサイド | 30 V/0.65 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance(N) |
TPHR9203PL1 | MOSFET | ローサイド | 30 V/0.92 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance(N) |
TPH2R003PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPH2R903PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPH4R803PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/4.8 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
TPN1R603PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/1.6 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
TPN2R903PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
TPN5R203PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/5.2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
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