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非絶縁型降圧DC-DCコンバーター
多彩なDC電源出力、負荷、基板実装面積などのバリエーションに対応した非絶縁降圧DC-DC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
概要
| 入力電圧 | DC 12 V |
|---|---|
| 出力電圧/電流 | 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A |
| 最適化 | 各設計は、50％負荷時の効率、100％負荷時の効率、および小型部品実装面積に最適化されています |
| 設計バリエーション | 24 |
特長
- 同期整流方式を採用した非絶縁型降圧DC-DCコンバーター
- 出力電圧、出力電流が異なる8種類の電源回路
- 各電源条件に3つの回路バリエーション
資料ダウンロード
デザインドキュメント
デザイン・ドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザイン・ファイル
デザイン・ファイルには以下のコンテンツが含まれます。
※1：実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。
※2：CR5000BD上でデータ出力しています。
東芝製品
| 型番 | 製品 | 搭載部位 | 特長 |
|---|---|---|---|
| TPH3R203NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/3.2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPH4R003NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/4 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPH8R903NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/8.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPH11003NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/11 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPN4R303NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/4.3 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
| TPN8R903NL | MOSFET | ハイサイド/ローサイド | 30 V/8.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
| TPN11003NL | MOSFET | ハイサイド | 30 V/11 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
| TPHR6503PL1 | MOSFET | ローサイド | 30 V/0.65 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance(N) |
| TPHR9203PL1 | MOSFET | ローサイド | 30 V/0.92 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance(N) |
| TPH2R003PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPH2R903PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPH4R803PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/4.8 mΩ (最大) @VGS = 10 V/SOP Advance |
| TPN1R603PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/1.6 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
| TPN2R903PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/2.9 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
| TPN5R203PL | MOSFET | ローサイド | 30 V/5.2 mΩ (最大) @VGS = 10 V/TSON Advance |
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