非絶縁型降圧DC-DCコンバーター

多彩なDC電源出力、負荷、基板実装面積などのバリエーションに対応した非絶縁降圧DC-DC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、非絶縁型降圧DC-DCコンバーターの製品写真です。
これは、非絶縁型降圧DC-DCコンバーターの簡易ブロック図です。

特長

  • 同期整流方式を採用した非絶縁型降圧DC-DCコンバーター
  • 出力電圧、出力電流が異なる8種類の電源回路
  • 各電源条件に3つの回路バリエーション

概要

入力電圧 DC 12 V
出力電圧/電流 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A
最適化 各設計は、50％負荷時の効率、100％負荷時の効率、および小型部品実装面積に最適化されています
設計バリエーション 24
これは、非絶縁型降圧DC-DCコンバーターの効率カーブです。
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0032 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.004 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド/ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド/ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.011 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0043 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド/ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ハイサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.011 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.00092 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.002 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0029 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0048 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0016 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0029 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ローサイド N-ch MOSFET, 30 V, 0.0052 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

ワイヤレスチャージャー
ワイヤレスチャージャーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、インバーター回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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ワイヤレスイヤホン
ワイヤレスイヤホンの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源・電源管理部、サージ・ESD保護回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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タブレットデバイス
タブレットデバイスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源管理部、各種センサー信号入力部、表示部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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ロボットクリーナー
ロボットクリーナーの設計では、高効率化、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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スマートスピーカー
スマートスピーカーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、センサー信号入力部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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