多彩なDC電源出力、負荷、基板実装面積などのバリエーションに対応した非絶縁降圧DC-DC電源のリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。
入力電圧 | DC 12 V |
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出力電圧/電流 | 5V/5A、5V/8A、5V/12A、3.3V/10A、3.3V/13.3A、3.3V/18.2A、1.5V/10A、1.05V/10A |
最適化 | 各設計は、50%負荷時の効率、100%負荷時の効率、および小型部品実装面積に最適化されています |
設計バリエーション | 24 |
デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。
デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。
品番 | 製品 | 搭載部位・数量 | 特徴 |
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パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0032 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.004 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド/ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド/ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.011 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0043 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド/ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ハイサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.011 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.00092 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.002 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0029 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0048 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0016 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0029 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H | |
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) | ローサイド | N-ch MOSFET, 30 V, 0.0052 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅨ-H |