MOSFET四端子パッケージTO-247-4L(TK25Z60X)応用回路

パッケージ内部インダクタンスの影響を低減させる四端子構造を特徴とするTO-247-4Lパッケージを例とし、高速スイッチング化を図る際の留意点をシミュレーション回路と動作波形を基に解説します。

素子とパターン配線インダクタンスの関係
シミュレーション回路

特長

  • 追加ソース端子を備えた4リード構造のTO 247 4Lパッケージを採用
  • 3リードパッケージ比でゲート信号の振動を低減し、スイッチング損失を低減
  • ソース配線における寄生インダクタンスの影響を最小化

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247-4L, DTMOSⅣ-H

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

ご検討の方へ

技術的なお問い合わせ

お問い合わせ

お問い合わせ

よくあるお問い合わせ

FAQ
会員登録が必要です
別ウインドウにて開きます