1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバーTPD7106F応用と回路

MOSFETとの組み合わせで大電流ロードスイッチ回路を構成できるゲートドライバーのリファレンスデザインです。応用回路例、電源逆接続時の動作、チャージポンプ回路などの機能説明、回路設計ガイド、シミュレーション例などを提供します。

これは、1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバーTPD7106Fの応用回路例です。

特長

  • TPD7106FとパワーMOSFET TKR74F04PBを6個使用した半導体リレー駆動回路
  • 自動車用バッテリーの逆接続を想定した電源逆接続
  • 入力電圧：12V
  • 最大負荷電流：200 A
  • チャージポンプ回路内蔵

概要

  • TPD7106FとパワーMOSFETを組み合わせた半導体リレーへの応用の紹介
  • 電源接続時の動作の解説
  • 200A通電可能な半導体リレーの応用
  • Spiceシミュレーションによる動作検証
これは、1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバーTPD7106F応用と回路のシミュレーション波形（通常動作時）です。
シミュレーション波形（通常動作時）

デザインドキュメント

デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザインデータ

デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
インテリジェントパワーデバイス (ハイサイドパワーMOSFETドライバ チャージポンプ内蔵) 1 Automotive Gate driver for High-side switch, SSOP16
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) 6 N-ch MOSFET, 40 V, 250 A, 0.00074 Ω@10V, TO-220SM(W)

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