サーバー用1.1kW ITTF(Interleaved Two Transistor Forward)方式AC-DCコンバーター

本デザインは、入力AC 90～264VからDC 12Vを生成し、最大1.1kWを出力するサーバー向けのAC-DCコンバーターです。出力ORing回路を搭載しており冗長運転が可能です。また、基板実装時の高さを考慮した部品を選定しており、1Uサイズ電源に応用可能です。
回路各部の設計ポイント・使用方法・各部調整方法の解説や、回路図や基板パターンの設計情報を提供しており、皆様の設計にお役立ていただけます。

外観
TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TK165V60Z1 TW107Z65C TW107Z65C TW107Z65C TK024N60Z1 TK024N60Z1 TK024N60Z1 TPH1R306PL TPH1R306PL TPH1R306PL TPH1R204PL TPH1R204PL TPHR6503PL TPHR6503PL DCL541A01

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特長

  • 80 PLUS Platinum級の高効率 (Vin = 230V時) を1Uサイズで実現
  • 変換効率：93.1% (Vin = 230V、100%負荷)
  • 外形サイズ：315mm x 205mm x 43mm (基板下部の金属板を含む)
  • 最新世代パワーMOSFET、デジタルアイソレーターをトータルで提案

概要

入力電圧 AC 90 ～ 264V
出力電圧 DC 12V
出力電力 1.1kW
回路構成 トーテムポールPFC+ITTF+出力ORing回路
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワー SiC MOSFET PFC回路・2 N-ch SiC MOSFET, 650 V, 0.107 Ω(typ.)@18 V, TO-247-4L(X), 3rd Gen.
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PCF回路・3 N-ch MOSFET, 600 V, 0.024 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) ITTF回路・4 N-ch MOSFET, 600 V, 0.165 Ω@10V, DFN 8 x 8, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) ITTF回路・2 N-ch MOSFET, 40 V, 0.00124 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) ITTF回路・4 N-ch MOSFET, 60 V, 0.00134 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ORing回路・3 N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
スタンダードデジタルアイソレーター 1次側-2次側間制御信号伝達・1 HIGH SPEED QUAD CHANNEL DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 5000 Vrms, 16pin SOIC Wide body

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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