1.6 kW サーバー用電源 (アップグレード版)

東芝最新のパワーデバイスとデジタルアイソレータ—を搭載し、同一トポロジーの既存リファレンスデザインに対し全負荷領域で効率向上を実現した1Uサイズの12 V 出力1.6 kW サーバー用電源。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真(例)
基板外観
TRS6E65H TRS6E65H TRS6E65H TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TK095N65Z5 TPHR6503PL1 TPHR6503PL1 TPH2R408QM TPH2R408QM TPH2R408QM DCL540C01 DCL540C01

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特長

  • 最新世代素子搭載により既存電源比高効率を実現
  • 高効率・高出力電源を1Uサイズで実現
  • 変換効率95.4 ％ (Vin = 230 V, 50 %負荷)
  • 外形サイズ：307 mm x 135 mm x 43 mm (基板下部の金属板、ヒートシンク天板含む)
  • 最新世代パワー素子 (MOSFET、SiCダイオード)、デジタルアイソレーターをトータルで提案

概要

入力電圧 AC 90 ～ 264 V
出力電圧 DC 12 V
出力電力 0.8 kW (100 V系入力時)、1.6 kW (200 V系入力時)
回路構成 セミブリッジレスPFC、フェイズシフトフルブリッジ＋同期整流回路、出力ORing回路
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) 1次側・4 N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 2次側・12 N-ch MOSFET, 80 V, 0.00243 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅩ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) ORing ・10 N-ch MOSFET, 30 V, 0.00065 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) PFC・2 N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 Ω@10V, TO-247, DTMOSⅥ
SiCショットキーバリアダイオード PFC・2 650 V/6 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-220F-2L
スタンダードデジタルアイソレーター 1次側-2次側間制御信号伝達・1 HIGH SPEED QUAD CHANNEL DIGITAL ISOLATORS, High-speed, 150 Mbps, 5000 Vrms, 16pin SOIC Wide body

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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