eFuse IC 応用回路 (過電流保護強化)

eFuse IC応用回路 (過電流保護強化) を小型基板に実現。ThermoflaggerTMを過電流検出デバイスとして使用し、eFuse ICと組み合わせて高精度な過電流遮断を行う回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

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TCKE905ANA TCKE905ANA CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 CEZ6V8 TCTH021BE TCTH021BE TC7SH34FU TC7SH34FU SSM3K35MFV SSM3K35MFV SSM3J35AMFV SSM3J35AMFV

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特長

  • eFuse ICの多彩な保護動作に加え、高精度な過電流遮断ソリューションを提案
  • 2 × 2cmの小型基板に搭載

概要

入力電源電圧 DC 2.7 ～ 6V
定格出力電流 1.4A (標準)、抵抗設定で最大4Aまで変更可能

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
eFuse IC モジュール基板・1 2.7 to 23 V/4.0 A eFuse IC, 34 mΩ, WSON8
過熱監視IC モジュール基板・1 10 μA, Open-drain, 過熱監視IC
小信号MOSFET モジュール基板・1 N-ch MOSFET, 20 V, 0.18 A, 3.0 Ω@4V, SOT-723(VESM)
小信号MOSFET モジュール基板・1 P-ch MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, SOT-723(VESM)
L-MOS VHSシリーズ モジュール基板・1 One-Gate Logic(L-MOS), Non-Inverter Buffer, SOT-353(USV)
ツェナーダイオード モジュール基板・2 6.8 V Zener Diode, SOD-523(ESC)
パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V) ベース基板・4 N-ch MOSFET, 40 V, 0.00085 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H
ロードスイッチIC ベース基板・4 2.7 to 28 V External MOSFET Driver IC, WCSP6E
L-MOS SHSシリーズ (TC74LCX相当) ベース基板・4 One-Gate Logic(L-MOS), Schmitt Buffer, SOT-363(US6)
CMOSロジックIC 74HCシリーズ ベース基板・2 Dual Monostable Multivibrator, SOIC16
ポイントレギュレーター(シングル出力) ベース基板・1 200 mA Fixed Output LDO Regulator, 4.8 V, SOT-25(SMV)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) ベース基板・1 NPN Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
抵抗内蔵型トランジスター(BRT) ベース基板・4 PNP Bias Resistor Built-in Transistors (BRT), 10 kΩ/10 kΩ, SOT-723(VESM)
スイッチングダイオード ベース基板・2 80 V/0.1 A Switching diode, SOD-523(ESC)

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