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ツェナーダイオードはpn接合ダイオードの一種です。ツェナーダイオードは通常のpn接合ダイオードとは逆方向の電圧を印加しブレークダウン領域(降伏領域)で使用します。
pn接合ダイオードの電圧ー電流特性を図-1に示します。このブレークダウン(降伏)はp型半導体とn型半導体の不純物濃度(ドーピング濃度)により以下の2種類の降伏が存在します。いずれの降伏も温度が一定であれば、決まった電圧で降伏現象が発生することから、定電圧ダイオードとも呼ばれます。
実際のツェナーダイオードでは厳密にこの2つの降伏がわかれるわけではなく、6 V程度を境にこれ以下ではツェナー降伏が支配的、これ以上ではアバランシェ降伏が支配的になります。
製品ラインアップについては、以下のページ、ドキュメントをご参照ください。