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MOSFET 電気的特性(静的特性)について IGSS/IDSS/V(BR)DSS/V(BR)DXS

IGSSの測定例を示した図です。

ゲート漏れ電流(IGSS

ドレイン・ソース間をショートし、ゲート・ソース間に指定の電圧を与えた時の漏れ電流です。

IGSSの測定

IGSSの測定例を示した図です。

ドレインしゃ断電流(IDSS

ゲート・ソース間をショートし。ドレイン・ソース間に指定の電圧を与えた時の漏れ電流です。

IDSSの測定

V(BR)DSSの測定例を示した図です。

ドレイン・ソース間降伏電圧(V(BR)DSS/V(BR)DXS

指定の漏れ電流を流した時のドレイン・ソース間の耐圧です。 
V(BR)DSS:ゲート・ソース間を短絡 
V(BR)DXS:ゲート・ソース間を逆バイアス 

V(BR)DSSの測定

V(BR)DSXの測定例を示した図です。

V(BR)DSXの測定

データシート記載例

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
ゲート漏れ電流 IGSS VGS = ±20 V, VDS = 0 V ±0.1 µA
ドレインしゃ断電流 IDSS VDS = 40 V, VGS = 0 V 10
ドレイン・ソース間降伏電圧 V(BR)DSS ID = 10 mA, VGS = 0 V 40 V
V(BR)DSX ID = 10 mA, VGS = -20 V 25
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