MOSFET 電気的特性（動的特性）について　t_r/t_on/t_f/t_off

スイッチング特性

パワーMOSFET が多数キャリアデバイスであることによる顕著な特性は、バイポーラートランジスターに比べて、高速動作に優れており、高周波のスイッチング動作ができることです。 スイッチング時間測定回路と入出力波形を下図に示します。

1. t_{d (on)}: ターンオン遅延時間
   ゲート・ソース電圧が設定電圧の10%に達してから、ドレイン・ソース間電圧が設定電圧の90%まで下降するまでのゲート・ソース間電圧に対するドレイン・ソース間の遅延時間です。
2. t_r：上昇時間(立ち上がり時間)
   ドレイン・ソース間電圧が設定値の 90%から 10%まで下降する時間です。
3. t_on：ターンオン時間
   ターンオン時間で t_{d (on)}+ t_r になります。
4. t_{d (off)}：ターンオフ遅延時間
   ターンオフ時にゲート・ソース間電圧が設定電圧の90%に達してから、ドレイン・ソース間電圧が設定電圧の10%まで上昇する時間です。
5. t_f：下降時間
   ドレイン・ソース間電圧が設定値の 10%から 90%まで上昇する時間です。
6. t_off：ターンオフ時間
   ターンオフ時間で t_{d (off)}+ t_f になります。

データシート記載例