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MOSFETが規定ゲート電圧でオン状態のときのドレイン・ソース間の抵抗値です。
ドレイン-ソース間抵抗RDS(ON)を測定するためには、まずゲート-ソース間に指定されたしきい値電圧Vthを超える電圧を印加します。次に、所定の電流源IDを印加し、ドレイン-ソース間の電圧降下VDSを測定します。
これらの測定結果から式RDS(ON)=VDS/IDを利用することで、所定のVGSに対するRDS(ON)を計算することができます。
注)定電流電源のオープン電圧は必ずドレイン-ソース間耐圧電圧以下になる様にしてください。
下記ページもご参照ください。