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MOSFET 電気的特性(静的特性)について RDS(ON)

VDS(ON)の測定例を示した図です。

ドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(ON)

MOSFETが規定ゲート電圧でオン状態のときのドレイン・ソース間の抵抗値です。

VDS(ON)の測定

順方向伝達アドミタンスの測定例を示した図です。

規定のドレイン電流IDを定電流で印加し規定電圧までVGSを増加させ、ドレイン-ソ-ス間電圧を測定し、ドレイン電流IDで割り、オン抵抗を算出する 。
注)定電流電源のオープン電圧は必ずドレイン-ソ-ス間耐圧電圧以下になる様にしてください。

順方向伝達アドミタンスの測定

順方向伝達アドミタンスの特性例を示したグラフです。

規定のドレイン電流になる様にゲート-ソース間電圧VGSを増加させ規定のドレイン電流IDになる様に調整。その後VGSを微小変化させドレイン電流IDの微小変化率を見る。

データシート記載例

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) VGS = 4.5 V, ID = 50 A 0.95 1.35
VGS = 10 V, ID = 50 A 0.65 0.80
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