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MOSFETのdv/dtは、スイッチング過渡期に発生する単位時間当たりのドレイン・ソース間の電圧変化量をさします。
dv/dtが大きすぎるとリンギングの発生、場合によってはMOSFETの破壊につながる可能性があります。
そのため、dv/dtに対して耐量を規定しているMOSFETもあります。

以下資料にMOSFETのリンギングに関する説明がございますので、参照ください。
資料名:パワーMOSFET寄生発振 振動

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