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トランジスターをコレクター、エミッター逆接続で使用しても良いのでしょうか?

トランジスターは正常な接続で最良の電気的特性が出せる様に設計されています。逆接続は性能が出ないばかりでなく破壊の要因になりますので通常の接続でご使用ください。

バイポーラートランジスターは一般的にhFEを高くするように設計しています。hFEを高くするためには、エミッターの多数キャリア (例えばnpnの場合は電子)を数多くベースに注入し、効率よくベースを通過させコレクターに到達させなければなりません。また耐圧 (コレクター・ベース間電圧 VCBO) を高くするために、コレクターの空乏層をコントロールする必要があります。このために以下の3つの対応をしています。

①ベースに対しエミッターのドーピング濃度 (不純物濃度) を高くする 

②ベースの厚みを薄くする

③コレクターのドーピング濃度 (不純物濃度) を下げる

従って、各領域の不純物濃度は エミッター >> ベース > コレクターの関係となります。

逆接続をした場合、上記の濃度関係が満たせないことになり、hFEは低下しトランジスターとしての機能を果たさなくなるだけでなく、ベース電流が定格を超える可能性があります。また、VCEOの低下によりトランジスターのオフ時にブレークダウンする可能性があります。これらのことにより、場合によっては破壊に至ることも考えられます。

*:現時点、ミューティング用トランジスターは製品ラインナップにありません。

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