バイポーラートランジスターをコレクター、エミッター逆接続で使用しても良いのでしょうか？

バイポーラートランジスターは一般的にh_FEを高くするように設計しています。h_FEを高くするためには、エミッターの多数キャリア（例えばnpnの場合は電子）を数多くベースに注入し、効率よくベースを通過させコレクターに到達させなければなりません。また耐圧（コレクター・ベース間電圧 V_CBO）を高くするために、コレクターの空乏層をコントロールする必要があります。このために以下の3つの対応をしています。

1. ベースに対しエミッターのドーピング濃度（不純物濃度）を高くする
2. ベースの厚みを薄くする
3. コレクターのドーピング濃度（不純物濃度）を下げる

従って、各領域の不純物濃度は　エミッター >> ベース > コレクターの関係となります。
通常のトランジスターでは低濃度のコレクターにより耐圧（V_CBO / V_CEO）を高く保っています。逆接続すると高濃度のエミッターがコレクターの役割をすることになり、印加できる電圧（V_EBO）は非常に低くなります。
逆接続をした場合、上記の濃度関係が満たせないことになりh_FEは低下しトランジスターとしての機能を果たさなくなるだけでなく、トランジスターのオフ時に定格（V_EBO）を超える可能性があります。このことにより、劣化や破壊に至ることも考えられます。逆接続での使用はしないでください。