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Insulated Gate Bipolar Transistorの略で 絶縁ゲート型バイポーラートランジスターを示します。入力部がMOS構造で出力部がバイポーラー構造のパワー用トランジスターです。高耐圧、大電流に適した半導体です。少ない電力で高電力を駆動できます。
応用例としてIH調理器などがあります。