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MOSFETの静電気対策としては、CMOSトランジスターの各入力端子には保護回路を設け、入力ゲートを静電気から保護しております。また、一般的にはHBM(human body model)2 kV以上持っております。
保護はしておりますが、デバイスに直接放電する状況は避けるべきです。いくら保護回路が備わっていてもデバイスの劣化や破壊が懸念されます。お取り扱いにはご注意ください。
一般的な静電気対策は、「半導体取り扱いのご注意とお願い」をご参照ください。
以下の資料にも関連する説明がありますので、ご参照ください。