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低リーク電流と高サージ電流を実現する改良型JBS構造

ショットキーバリアダイオード(SBD)は、逆回復時間(trr)がほとんど無い、順方向電圧(VF)が低い利点がありますが、反面リークが大きいなどの欠点もあります。当社SBDでは構造を見直し、この欠点を改善した製品をラインアップしています。

図 1
図 2

ショットキーバリアダイオードは金属と半導体との接合によって生じるショットキー障壁を利用したダイオードです。PN接合ダイオードに比べて一般的に順方向電圧(VF)となる反面、逆電流(IR)が大きくなってしまいます。
VFとIRの相関性は使用するメタルにより左右されますが、当社ではJBS構造を採用したことによりIRを抑えた製品をラインアップしています。JBS構造とは半導体表面のn層にp層を埋め込んだ構造です。逆バイアスが印加された場合このn層とp層の間の空乏層が広がることによりIRを抑える事が可能となります。

ショットキーバリアダイオード (JBS構造)

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