最新の高耐圧微細SOIプロセスによる損失の低減

最新の高耐圧微細SOIプロセスによる損失の低減

モノリシックタイプの矩形波駆動製品は、最新の高耐圧微細SOI (Silicon On Insulator) プロセスを採用し、600V耐圧のIGBT、フリーホイールダイオード (FWD: Free-wheeling Diode) と制御回路を1チップ化したパワーICチップを、低熱抵抗のエクスポーズドパッド (E-Pad) 対応のパッケージ (HSSOP-31) に搭載しています。わずかな周辺部品の追加により小型・高効率のブラシレスモーターを駆動可能です。最新製品では、スイッチング損失の低減により、従来製品に比較して約0.3Wの効率改善を実現しています。

最新製品では、最新の高耐圧微細SOI (Silicon On Insulator) プロセスを採用し、スイッチング損失を低減し、従来製品に比較して約0.3W (@入力電力=40W時) の効率改善を実現しています。

また、従来の電流制限機能に加えて、新たに過電流保護機能を追加することにより、モーターロック時などのシステム異常時の安全性も向上しています。ローターの位置検出を行うセンサーには、ホール素子を使用することができ、システムコストの低減にも貢献します。

三相ブラシレスDCモータードライバーIC モノリシックタイプ

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