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パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)
用途 | 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター / モータードライブ |
---|---|
極性 | N-ch |
世代 | U-MOSⅩ-H |
内部接続 | シングル |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
東芝パッケージ名 | SOP Advance / SOP Advance(N) |
---|---|
外観 | |
ピン数 | 8 |
実装区分 | 表面実装 |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
---|---|---|---|
ドレイン-ソース間電圧 | VDSS | 150 | V |
ゲート-ソース間電圧 | VGSS | +/-20 | V |
ドレイン電流 | ID | 64 | A |
許容損失 | PD | 210 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
---|---|---|---|---|
ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 4.5 | V |
ゲートしきい値電圧 (Min) | Vth | - | 3.1 | V |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=8V | 11 | mΩ |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 9 | mΩ |
入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 3500 | pF |
ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 44 | nC |
出力電荷量 (Typ.) | Qoss | - | 87 | nC |
逆回復時間 (Typ.) | trr | - | 40 | ns |
逆回復電荷量 (Typ.) | Qrr | - | 34 | nC |