TPHR8504PL1

パワーMOSFET (N-ch 1素子 30V<VDSS≤60V)

  • 関連リファレンスデザイン(4)

データシート

TPHR8504PL1 データシート/日本語[2020年06月]PDF: 692KB

データシート

TPHR8504PL1 データシート/英語[2020年06月]PDF: 594KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2022年11月]ZIP: 8KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 302KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

300W 絶縁型DC-DC コンバーターの効率評価と損失分析[2021年09月]PDF: 1784KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

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製品概要

用途 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター / モータードライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOP Advance(N)
外観 SOP Advance(N)
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 4.9×6.1×1.0
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 370 A
許容損失 PD 210 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.4 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.4 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 1.4 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 0.85 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 7370 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 103 nC
出力電荷量 (Typ.) Qoss - 85.4 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 58 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 70 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2022年11月

2024年10月

リファレンスデザイン

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。
詳細
これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。
詳細
これは、eFuse IC応用回路 (過熱遮断) の画像です。
eFuse IC応用回路 (過熱遮断)
eFuse IC応用回路 (過熱遮断) を小型基板に実現。ThermoflaggerTM (過熱監視 IC) と組み合わせて異常発熱を検知し出力を遮断する回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
詳細
これは、eFuse IC 応用回路 (過電流保護強化) の画像です。
eFuse IC 応用回路 (過電流保護強化)
eFuse IC応用回路 (過電流保護強化) を小型基板に実現。ThermoflaggerTMを過電流検出デバイスとして使用し、eFuse ICと組み合わせて高精度な過電流遮断を行う回路を開発。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。
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