TPN1200APL

パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)

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製品概要

用途 高効率DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター / モータードライブ
極性 N-ch
世代 U-MOSⅨ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TSON Advance
外観 TSON Advance
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
3.3×3.3×0.85
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
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 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 100 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 66 A
許容損失 PD 104 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.5 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.5 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 20
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 11.5
入力容量 (Typ.) Ciss - 1425 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 24 nC
出力電荷量 (Typ.) Qoss - 24 nC
逆回復時間 (Typ.) trr - 41 ns
逆回復電荷量 (Typ.) Qrr - 47 nC
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ドキュメント

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2021年06月

2021年07月

2023年01月

2024年10月

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
TPN1200APL,L1Q 5000 Yes

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。

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