新規設計非推奨
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V)
用途 | DC-DCコンバーター / 車載 / スイッチングレギュレーター / モータードライブ |
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極性 | N-ch |
世代 | U-MOSⅩ-H |
内部接続 | シングル |
AEC-Q101 | 適合(※) |
RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
(※)詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。
新規設計にはこれらの製品を推奨します
品番 | 互換レベル | 備考 |
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TK60S10N1L | パッケージ違い、特性類似 | オン抵抗がやや高いです |
XPH6R30ANB | パッケージ違い、特性類似 | オン抵抗がやや高いです |
東芝パッケージ名 | TO-220SM(W) |
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外観 | |
ピン数 | 3 |
実装区分 | 表面実装 |
パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
10.0×13.0×3.5 |
パッケージ寸法図 | 表示 |
参考パッド寸法図 | 表示 |
CADデータ (シンボル/フットプリント/3Dモデル) |
UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
注:Ultra Librarian® はEMA社(EMA Design Automation, Inc.)のCADデータライブラリおよびその登録商標です。
項目 | 記号 | 値 | 単位 |
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ドレイン-ソース間電圧 | VDSS | 100 | V |
ゲート-ソース間電圧 | VGSS | +/-20 | V |
ドレイン電流 | ID | 160 | A |
許容損失 | PD | 375 | W |
項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
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ゲートしきい値電圧 (Max) | Vth | - | 3.5 | V |
ゲートしきい値電圧 (Min) | Vth | - | 2.5 | V |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=6V | 3.31 | mΩ |
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 1.92 | mΩ |
入力容量 (Typ.) | Ciss | - | 11500 | pF |
ゲート入力電荷量 (Typ.) | Qg | VGS=10V | 184 | nC |
逆回復時間 (Typ.) | trr | - | 115 | ns |
逆回復電荷量 (Typ.) | Qrr | - | 138 | nC |