SSM3K337R

小型・低オン抵抗MOSFET

データシート

SSM3K337R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 444KB

データシート

SSM3K337R データシート/英語[2024年08月]PDF: 330KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年12月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 8KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

アプリケーションノート

メカリレー駆動用MOSFETの安全設計[2015年05月]PDF: 863KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

データシート

SSM3K337R データシート/日本語[2024年08月]PDF: 444KB

データシート

SSM3K337R データシート/英語[2024年08月]PDF: 330KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

アプリケーションノート

メカリレー駆動用MOSFETの安全設計[2015年05月]PDF: 863KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年12月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]mod: 21KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2024年02月]ZIP: 8KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

製品概要

用途 リレードライブ
特長 アクティブクランプ構造
極性 N-ch + Active Clamp Zener
世代 U-MOSⅣ
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-23F
外観 SOT-23F
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.4×0.8
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 38 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 2.0 A
許容損失 PD 1.0 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.7 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 0.7 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 200 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 176 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 150 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 120 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=10V 3.0 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年12月

2019年02月

2024年02月

2024年09月

2024年11月

2024年11月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM3K337R,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM3K337R,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)
SSM3K337R,LXHF 3000 - Yes Yes 車載用途

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

オンボードチャージャー
オンボードチャージャーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、DC-DCコンバーター部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
ジャンクションボックス
ジャンクションボックスの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、メカリレー制御部、半導体リレー制御部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
バッテリー管理システム
バッテリー管理システムの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、充電回路部、セルバランス回路部、バッテリー監視回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
トランスミッション管理
トランスミッション管理の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、モーター駆動部、電源部、メカリレー駆動部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
パワースライドドア
パワースライドドアの設計では、モーターロック電流に対する耐量確保、低消費電力化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、モーター駆動部、電源部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
エンジン制御
エンジン制御の設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、パワーマネージメント回路部、インジェクター駆動回路部、アクチュエーター駆動回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細

技術的なお問い合わせ

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