SSM3K72CTC

小信号MOSFET

  • 関連リファレンスデザイン(2)

製品概要

用途 高速スイッチング
極性 N-ch
世代 U-MOSⅦ-H
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 CST3C
外観 CST3C
ピン数 3
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)
0.8×0.6×0.38
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)
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絶対最大定格

項目 記号 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 60 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-20 V
ドレイン電流 ID 150 mA
許容損失 PD 0.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 2.1 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 1.1 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4.5V 4.7 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=5V 4.4 Ω
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 3.9 Ω
入力容量 (Typ.) Ciss - 11 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4.5V 0.27 nC
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ドキュメント

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2016年12月

2019年03月

2024年09月

2024年12月

2024年12月

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オーダー品番

オーダー品番(代表例) MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS 備考
SSM3K72CTC,L3F 10000 Yes 一般用途

リファレンスデザイン

これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。当社の多彩なラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・eFuseIC・ツェナーダイオード・MOSFETなど最適なデバイスを選択し、BBMとMBBの切り替え・理想ダイオード特性を実現したリファレンス回路を提供致します。
これは、パワーマルチプレクサー回路の基板写真(例)です。
パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)
2入力1出力のパワーマルチプレクサー回路を小型基板に実現。開発済みのパワーマルチプレクサー回路リファレンスデザインに、コモンドレインMOSFET応用回路を追加いたしました。当社の多彩な製品ラインアップから、MOSFETゲートドライバーIC・ツェナーダイオードなど最適なデバイスを組み合わせ、BBMとMBBの切り替えを実現したリファレンス回路を提供致します。

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