SSM6K403TU

小型・低オン抵抗MOSFET

データシート

SSM6K403TU データシート/日本語[2022年02月]PDF: 624KB

データシート

SSM6K403TU データシート/英語[2022年02月]PDF: 429KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年09月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]ZIP: 11KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

カタログ

ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

SSM6K403TU データシート/日本語[2022年02月]PDF: 624KB

データシート

SSM6K403TU データシート/英語[2022年02月]PDF: 429KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

小型面実装 MOSFET 使用上の注意点[2022年01月]PDF: 1091KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2016年09月]lib: 3KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2019年02月]ZIP: 11KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

セレクションガイド 小信号 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 15538KB

カタログ

ミニカタログ セミパワー&小型低RON MOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 863KB

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ミニカタログ 小型パッケージMOSFETのご紹介[2024年07月]PDF: 1167KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 パワーマネジメントスイッチ / 高速スイッチング
極性 N-ch
世代 U-MOSⅢ
内部接続 シングル
AEC-Q101 適合(※)
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

（※）詳細については弊社営業窓口へ問い合わせ下さい。

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-363F (UF6)
外観 UF6
パッケージコード SOT-363F
ピン数 6
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.0×2.1×0.7
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 20 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +/-10 V
ドレイン電流 ID 4.2 A
許容損失 PD 0.5 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 1.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 0.35 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.5V 66 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=1.8V 43 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 32 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 28 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1050 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=4V 16.8 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2016年09月

2019年02月

2024年09月

2024年11月

2024年11月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS AEC_Q100-Q101 備考
SSM6K403TU,LF 3000 Yes - 一般用途
SSM6K403TU,LXGF 3000 - Yes Yes(注) 特定用途(注)

(注)：詳細は当社営業窓口まで、または当社Webサイトのお問い合わせフォームからお問い合わせください。


アプリケーション

電気シェーバー
電気シェーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、サージ保護部、モーター駆動部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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