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小信号MOSFET 2 in 1
| 用途 | 高速スイッチング |
|---|---|
| 極性 | N-ch×2 |
| 世代 | U-MOSⅦ-H |
| 内部接続 | 独立 |
| 構成要素形名 (Q1) | SSM6N56FE |
| 構成要素形名 (Q2) | SSM6N56FE |
| RoHS Compatible Product(s) (#) | 適合品あり |
| 東芝パッケージ名 | SOT-563 (ES6) |
|---|---|
| 外観 |
|
| JEITA | SC-107C |
| パッケージコード | SOT-563 |
| ピン数 | 6 |
| 実装区分 | 表面実装 |
| パッケージ寸法 幅×長さ×高さ (mm) |
1.6×1.6×0.55 |
| パッケージ寸法図 | 表示 |
| 参考パッド寸法図 | 表示 |
| SamacSys CADモデル (シンボル/フットプリント/3Dモデル) |
SamacSysからダウンロード |
詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。
|
注1 |
SamacSysはSupplyframe, Inc.の完全子会社です。CADモデル(シンボル/フットプリント/3Dモデル)はSupplyframe, Inc.によって提供されます。 |
|
注2 |
フットプリントは、各社の仕様に基づき生成され、弊社Webサイト上に掲載されている参考パッド寸法とは異なる場合がありますので、ご注意ください。 |
| 項目 | 記号 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| ドレイン-ソース間電圧 (Q1/Q2) | VDSS | 20 | V |
| ゲート-ソース間電圧 (Q1/Q2) | VGSS | +/-8 | V |
| ドレイン電流 (Q1/Q2) | ID | 800 | mA |
| 許容損失 | PD | 0.15 | W |
| 項目 | 記号 | 測定条件 | 値 | 単位 |
|---|---|---|---|---|
| ゲートしきい値電圧 (Q1/Q2) (Max) | Vth | - | 1.0 | V |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=1.5V | 840 | mΩ |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=1.8V | 480 | mΩ |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=2.5V | 300 | mΩ |
| ドレイン-ソース間オン抵抗 (Q1/Q2) (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 235 | mΩ |
| 入力容量 (Q1/Q2) (Typ.) | Ciss | - | 55 | pF |
| ゲート入力電荷量 (Q1/Q2) (Typ.) | Qg | VGS=4.5V | 1.0 | nC |