TPCC8106

生産終了予定

パワーMOSFET (P-ch 1素子)

データシート

TPCC8106 データシート/日本語[2019年03月]PDF: 406KB

データシート

TPCC8106 データシート/英語[2019年03月]PDF: 289KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2014年05月]lib: 3KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:特性と等価回路[2021年01月]PDF: 697KB

アプリケーションノート

バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格と電気的特性の用語集[2021年01月]PDF: 691KB

アプリケーションノート

パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

アプリケーションノート

モーター制御(掃除機)[2020年09月]PDF: 2253KB

アプリケーションノート

48Vバス電圧対応ハーフブリッジ型DC-DCコンバーターの効率評価[2020年09月]PDF: 1567KB

アプリケーションノート

パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

アプリケーションノート

共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

アプリケーションノート

U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

アプリケーションノート

MOSFET ボディダイオードの逆回復動作と破壊[2018年09月]PDF: 682KB

アプリケーションノート

MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

アプリケーションノート

降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

アプリケーションノート

構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

アプリケーションノート

最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

アプリケーションノート

MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

アプリケーションノート

熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

アプリケーションノート

寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

アプリケーションノート

MOSFET並列接続(寄生発振): パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1314KB

アプリケーションノート

MOSFET ゲート駆動回路: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1424KB

アプリケーションノート

MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

アプリケーションノート

MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

アプリケーションノート

MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

アプリケーションノート

MOSFET セルフターンオン現象について[2018年07月]PDF: 1550KB

アプリケーションノート

ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2025 Rev1.0[2025年02月]PDF: 3497KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

TPCC8106 データシート/日本語[2019年03月]PDF: 406KB

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TPCC8106 データシート/英語[2019年03月]PDF: 289KB

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MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

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電気的特性: パワーMOSFET アプリケーションノート[2023年02月]PDF: 1444KB

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簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:熱安定度と放熱設計[2021年03月]PDF: 659KB

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バイポーラトランジスタアプリケーションノート:最大定格[2021年03月]PDF: 743KB

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パワー半導体 面実装品 熱設計リーフレット2[2020年12月]PDF: 3535KB

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パワーMOSFETのアバランシェエネルギー計算[2020年03月]PDF: 752KB

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ディスクリート半導体熱設計リーフレット[2020年02月]PDF: 1747KB

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共振回路およびソフトスイッチング[2019年11月]PDF: 1372KB

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U-MOSⅨ-H 60V低VDSスパイク製品TPH1R306P1[2019年06月]PDF: 2118KB

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ディスクリート半導体熱設計の勘どころ3[2019年02月]PDF: 3459KB

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MOSFET 二次降伏(S/B)[2018年09月]PDF: 706KB

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降圧コンバータRCスナバ回路[2018年09月]PDF: 1974KB

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構造と特長: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 510KB

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最大定格: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1072KB

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MOSFETの選び方及び回路設計上の注意点: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1128KB

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熱設計と放熱器への取り付け: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 946KB

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寄生発振、振動: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1492KB

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MOSFET dv/dt影響について: パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 1467KB

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MOSFET アバランシェ耐量について : パワーMOSFET アプリケーションノート[2018年07月]PDF: 787KB

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ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ[2018年07月]PDF: 1423KB

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ディスクリート半導体の温度算出方法[2018年07月]PDF: 1150KB

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MOSFETの安全動作領域のディレーティング方法[2018年07月]PDF: 648KB

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ディスクリート半導体 熱設計の勘どころ2[2018年07月]PDF: 1493KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2014年05月]lib: 3KB

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ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 モータードライブ / DC-DCコンバーター / スイッチングレギュレーター
極性 P-ch
世代 U-MOSⅥ
内部接続 シングル
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TSON Advance
外観 TSON Advance
ピン数 8
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 3.1×3.3×0.85
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS -40 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +10/-20 V
ドレイン電流 ID -30 A
許容損失 PD 46.8 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - -3.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - -2.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 12.3 mΩ
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=6V 18.9 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 3100 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg VGS=-10V 66 nC

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2014年05月

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