TW048N65C

新製品

パワー SiC MOSFET

データシート

TW048N65C データシート/日本語[2022年12月]PDF: 621KB

データシート

TW048N65C データシート/英語[2022年12月]PDF: 517KB

PSpiceデータ

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

LTspiceデータ

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

SIMetrixデータ

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2023年05月]PDF: 243KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2023年05月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2023年05月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

データシート

TW048N65C データシート/日本語[2022年12月]PDF: 621KB

データシート

TW048N65C データシート/英語[2022年12月]PDF: 517KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

PSpiceデータ

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

LTspiceデータ

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

SIMetrixデータ

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2023年05月]PDF: 243KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2023年05月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2023年05月]PDF: 104KB

製品概要

用途 スイッチングレギュレータ用
極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 650 V
ドレイン電流 ID 40 A

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Max) RDS(ON) |VGS|=18V 65 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1362 pF
ご購入・サンプル請求のご案内
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オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2023年05月

2023年04月

2023年04月

2023年05月

2023年05月

2023年05月

 注: LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

 注: SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

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