TW048N65C

パワー SiC MOSFET

データシート

TW048N65C データシート/日本語[2024年09月]PDF: 627KB

データシート

TW048N65C データシート/英語[2024年09月]PDF: 519KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年10月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 243KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

第3世代SiC MOSFETの特長[2023年06月]PDF: 1667KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

TW048N65C データシート/日本語[2024年09月]PDF: 627KB

データシート

TW048N65C データシート/英語[2024年09月]PDF: 519KB

アプリケーションノート

第3世代SiC MOSFETの特長[2023年06月]PDF: 1667KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年10月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年10月]PDF: 243KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 スイッチングレギュレーター用
極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 650 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +25/-10 V
ドレイン電流 ID 40 A
許容損失 PD 132 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 5.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Typ.) RDS(ON) |VGS|=18V 48 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 1362 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg - 41 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2023年05月

2023年04月

2023年04月

2023年10月

2024年10月

2024年11月

2024年11月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

アプリケーション

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サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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