TW083N65C

パワー SiC MOSFET

データシート

TW083N65C データシート/日本語[2024年09月]PDF: 947KB

データシート

TW083N65C データシート/英語[2024年09月]PDF: 849KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

シミュレーションモデル

SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

シミュレーションモデル

PLECSモデル[2024年11月]ZIP: 6KB

熱シミュレーションモデル

簡易CFDモデル[2023年10月]ZIP: 10KB

信頼性情報

信頼性データ[2023年08月]PDF: 235KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年12月]PDF: 123KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年12月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

第3世代SiC MOSFETの特長[2023年06月]PDF: 1667KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

アプリケーションノート

FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

データシート

TW083N65C データシート/日本語[2024年09月]PDF: 947KB

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TW083N65C データシート/英語[2024年09月]PDF: 849KB

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第3世代SiC MOSFETの特長[2023年06月]PDF: 1667KB

アプリケーションノート

MOSFET SPICE モデルグレード[2023年05月]PDF: 1939KB

アプリケーションノート

簡易CFDモデルアプリケーションノート[2022年11月]PDF: 1433KB

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FAQ: SiC MOSFET アプリケーションノート[2021年02月]PDF: 962KB

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SiC MOSFETとSi IGBTの損失比較: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1143KB

アプリケーションノート

絶対最大定格と電気的特性: SiC MOSFET アプリケーションノート[2020年08月]PDF: 1265KB

シミュレーションモデル

PSpiceモデル[2023年05月]ZIP: 44KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2023年04月]ZIP: 49KB

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SIMetrixモデル[2023年04月]ZIP: 10KB

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信頼性データ[2023年08月]PDF: 235KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年12月]PDF: 123KB

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REACH SVHCに関する証明書[2024年12月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド MOSFETs 2024 Rev2.0[2024年07月]PDF: 10837KB

カタログ

ミニカタログ　車載、産業向け東芝MOSFETのご紹介[2024年04月]PDF: 1015KB

製品概要

用途 スイッチングレギュレーター用
極性 N-ch
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 TO-247
外観 TO-247
ピン数 3
実装区分 リード挿入
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 15.94×20.95×5.02
パッケージ寸法図 表示

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン-ソース間電圧 VDSS 650 V
ゲート-ソース間電圧 VGSS +25/-10 V
ドレイン電流 ID 30 A
許容損失 PD 111 W

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ゲートしきい値電圧 (Max) Vth - 5.0 V
ゲートしきい値電圧 (Min) Vth - 3.0 V
ドレイン-ソース間オン抵抗 (Typ.) RDS(ON) |VGS|=18V 83 mΩ
入力容量 (Typ.) Ciss - 873 pF
ゲート入力電荷量 (Typ.) Qg - 28 nC
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

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2023年05月

2023年04月

2023年04月

2024年11月

2023年10月

2023年08月

2024年12月

2024年12月

注1

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

注2

SIMetrix®はSIMetrix Technologies Ltd.のシミュレーション・ソフトウェアおよびその登録商標です。

注3

PLECS ®はPlexim, Inc. の登録商標です。

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ご注意

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