MG250YD2YMS3

SiC MOSFETモジュール

データシート

MG250YD2YMS3 データシート/日本語[2024年08月]PDF: 692KB

データシート

MG250YD2YMS3 データシート/英語[2024年08月]PDF: 568KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2024年05月]ZIP: 105KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2024年06月]PDF: 1624KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール 2-153A1A パッケージ アプリケーションノート 取り扱い方法[2024年06月]PDF: 1098KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2024年06月]PDF: 882KB

データシート

MG250YD2YMS3 データシート/日本語[2024年08月]PDF: 692KB

データシート

MG250YD2YMS3 データシート/英語[2024年08月]PDF: 568KB

アプリケーションノート

SiC MOSFETモジュール アプリケーションノート SiC MOSFETモジュールの特性[2024年06月]PDF: 1624KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール 2-153A1A パッケージ アプリケーションノート 取り扱い方法[2024年06月]PDF: 1098KB

アプリケーションノート

SiC MOSFET モジュール アプリケーションノート ゲートドライブ[2024年06月]PDF: 882KB

シミュレーションモデル

LTspiceモデル[2024年05月]ZIP: 105KB

製品概要

特長 オールSiC MOSFETタイプ
用途 大電力スイッチング用 (電力変換、モーター駆動)
回路構成 2in1
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 2-153A1A
実装区分 表面実装

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
ドレイン電流 (DC) ID 250 A
ドレイン・ソース間電圧 VDSS 2200 V
チャネル温度 Tch 150 ℃

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
ドレイン・ソース間 オン電圧(センス端子) (Typ.) VDS(on)sense ID=250A
Tch=25℃
VGS=20V		 0.7 V
ソース・ドレイン間 オフ電圧(センス端子) (Typ.) VSD(off)sense IS=250A
Tch=25℃
VGS=-6V		 1.6 V
ターンオンスイッチング損失 (Typ.) Eon - 14 mJ
ターンオフスイッチング損失 (Typ.) Eoff - 11 mJ
逆回復損失 (Typ.) Err - 1.5 mJ
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2024年05月

注

LTspice ®はADI社（Analog Devices、Inc.）のシミュレーション・ソフトウエアおよびその登録商標です。

アプリケーション

メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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