SiC MOSFETモジュール E3D用ゲートドライバー

産業用途・鉄道用インバーター・コンバーターなどで使用されるSiC MOSFETモジュールのゲートドライバーです。E3Dパッケージの当社SiC MOSFETモジュールMG250YD2YMS3などに対応しており、回路の設計ポイント、使用方法、回路の調整方法の解説に加え、回路図、BOM、基板パターンなどの設計情報を提供しており、SiCモジュール用ゲートドライバーの設計期間短縮にお役立ていただけます。

基板外観
基板外観
TCR1HF50B TCR1HF50B SSM3K15AFS SSM3K15AFS SSM3K15AFS SSM3K15AFS CRF03A CRF03A SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R SSM6K804R

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特長

  • 当社E3DパッケージSiC MOSFETモジュールと同等サイズで実現
    (外形サイズ：62mm x 100mm)
  • DC 24Vの単一電源入力から、+20V／-6.7Vのゲート駆動電圧を生成し、バッファー用MOSFETによる大電流ゲート駆動を実現
  • DESAT検出による過電流保護、低電圧検知UVLO、アクティブミラークランプ、異常検知時のFLT信号出力機能など各種保護機能を搭載

仕様

制御用電源電圧 DC 24V (標準)
駆動チャネル数 2ch：ローサイド、ハイサイド
ゲート制御信号入力 DC 5V (標準)
ゲート駆動出力 +20V (標準) / -6.7V (標準)

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
低ドロップアウト(LDO)リニアーボルテージレギュレーター 信号インターフェース回路、ゲート駆動回路・4 High voltage, Low quiescent current, Fast load transient CMOS Linear Regulator
小信号MOSFET 信号インターフェース回路、ゲート駆動回路、保護回路・12 N-ch MOSFET, 30 V, 0.1 A, 3.6 Ω@4V, SOT-416(SSM)
小型・低オン抵抗MOSFET ゲート駆動回路、ソフトターンオフ回路・6 N-ch, MOSFET, 40V, 12A, 18mΩ@4.5V, TSOP6F
超高速整流用ダイオード(S-FRD) DESAT回路・6 600 V/0.7 A Rectifier Diode, S-FLAT
低周波増幅用トランジスター 2 in 1 DESAT回路・2 PNP + PNP Bipolar Transistor, -50 V, -0.15 A, SOT-353(USV)

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

汎用インバーター/サーボ
インバーター/サーボの設計では、低消費電力化、小型化や堅牢な動作などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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メガソーラーインバーター
メガソーラーインバーターの設計では、高効率化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、インバーター回路部、ゲート駆動回路部、信号伝送回路部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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