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1出力ハイサイドNチャネルパワーMOSFETゲートドライバーTPD7106F応用と回路

TPD7106F応用回路例
TPD7106F応用回路例
シミュレーション波形(通常動作時)
シミュレーション波形(通常動作時)

概要

  • TPD7106FとパワーMOSFETを組み合わせた半導体リレーへの応用の紹介
  • 電源接続時の動作の解説
  • 200A通電可能な半導体リレーの応用
  • Spiceシミュレーションによる動作検証

特長

  • TPD7106FとパワーMOSFET TKR74F04PBを6個使用した半導体リレー駆動回路
  • 自動車用バッテリーの逆接続を想定した電源逆接続
  • 入力電圧:12V
  • 最大負荷電流:200 A
  • チャージポンプ回路内蔵

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東芝製品

型番 製品 搭載部位・数量 特長
TPD7106F インテリジェントパワーIC 1 1チャネルハイサイドNチャネルパワーMOSFET ゲートドライバー/VDD= -18~27V/チャージポンプ回路内蔵/SSOP16
TKR74F04PB MOSFET 6 U-MOS IX-H/40V/0.6mΩ(標準)@VGS=10V/TO-220SM(W)  

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