200 W アクティブクランプフォワード方式DC-DCコンバーター

クランプ用スイッチにNch MOSFETを採用したアクティブクランプフォワード方式の200 W絶縁型DC-DCコンバーターのリファレンスデザインです。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供します。

これは、200 W アクティブクランプフォワード方式DC-DCコンバーターの製品写真です。
TPN5900CNH TPH3300CNH TPH9R00CQH TPH9R00CQH TLP785

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特長

  • 変換効率：90.8 % (Vin = 48 V、100 %負荷)
  • 外形サイズ：130 mm x 115 mm x 30 mm (裏面入出力端子を除く)
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラーをトータルで提案

概要

入力電圧 DC 38.5 ～ 60 V
出力電圧 DC 24 V
出力電力 10 ～ 200 W
回路構成 アクティブクランプフォワード + 同期整流回路
これは、200 W アクティブクランプフォワード方式DC-DCコンバーターの効率カーブです。
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 一次側メインスイッチ・1 N-ch MOSFET, 150 V, 0.033 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 一次側クランプスイッチ・1 N-ch MOSFET, 150 V, 0.059 Ω@10V, TSON Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 二次側・4 N-ch MOSFET, 150 V, 0.009 Ω@10V, SOP Advance / SOP Advance(N), U-MOSⅩ-H

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

プログラマブルロジックコントローラー（PLC）
プログラマブル・ロジック・コントローラー (PLC) の設計では、高機能化、低消費電力化、小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、入出力モジュール部、制御信号通信部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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マルチファンクションプリンター
マルチファンクションプリンター (MFP) の設計では、モーター駆動の高効率化、低消費電力化、小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、各種エンジン (モーター駆動) 部、スキャナー部、動作制御部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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