MOSFET応用3相マルチレベルインバーター

5レベル出力可能な3相マルチレベルインバーター。150 V MOSFETを使用しAC 200 Vモーターを駆動。各種回路の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真(例)
TCR3UF18A TCR3UF33B TC75W57FK TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5 TLP152 TPH9R00CQ5

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特長

  • 150 V MOSFETを使用しAC 200 Vモーターを駆動
  • 外形サイズ：240 mm x 150 mm
  • 最適なパワーMOSFET、フォトカプラをトータルで提案

概要

入力電圧 DC 400 V
出力電圧 三相AC 200～240 V
回路構成 NPC 5レベル

デザインドキュメント

デザインドキュメントには以下のドキュメントが含まれます。

デザインデータ

デザインデータには以下のドキュメントが含まれます。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
コンパレータ (CMOS) 過電流検出・3 Dual Comparator (CMOS), 7 V, +/-3.5 V, SOT-765(US8)
低ドロップアウト(LDO)リニアボルテージレギュレータ CPLD電源・1 300 mA Fixed Output LDO Regulator, 1.8 V, SOT-25(SMV)
低ドロップアウト(LDO)リニアボルテージレギュレータ CPLD電源・1 300 mA Fixed Output LDO Regulator, 3.3 V, SOT-25(SMV)
フォトカプラ(IC出力) MOSFETドライバー・24 Photocoupler (photo-IC output), IGBT driver, IOP=+/-2.5 A, 3750 Vrms, 5pin SO6
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) インバータースイッチ・24 N-ch MOSFET, 150 V, 0.009 Ω@10V, Qrr=34nC@100A/μs, SOP Advance / SOP Advance(N), U-MOSⅩ-H

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