48 Vバス対応 1.2 V/100 A 2段降圧DC-DCコンバーター

データセンターの消費電力低減に向け普及が始まっているサーバーの48 V給電に対応し、48 Vバスラインから基板上の各種デバイス向けに高効率で1.2 V/100 Aを供給するDC-DCコンバーター。回路各部の設計ポイントの解説、設計データ、使用方法などを提供。

基板写真(例)
基板外観
TPH1400ANH TPH1400ANH TPH5R60APL TPH5R60APL TPH8R903NL TPH8R903NL TPHR9203PL1 TPHR9203PL1

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特長

  • 48 Vバスラインから高効率で1.2 V/100 Aを供給
  • 変換効率83 ％ (Vin = 50 V, 100 %負荷)
  • 外形サイズ：198 mm x 151 mm
  • 最新世代パワーMOSFETをトータルで提案

概要

入力電圧 DC 40 ～ 59.5 V
出力電圧 DC 1.2 V
出力電力 120 W
回路構成 2段降圧DC-DCコンバーター (非絶縁同期整流型降圧DC-DC＋非絶縁同期整流型降圧DC-DC)
効率カーブ
効率カーブ

デザインドキュメント

回路の動作概要、設計ポイントの解説など、設計者向けの資料を提供。各タブをクリックして、回路設計・検討にお役立てください。

デザインデータ

EDAツールに読み込んで使用する回路データ、PCBレイアウトデータ、PCB製造に使用するデータを提供。複数のツールベンダーの形式を用意しています。お使いのツールで自由に編集加工可能です。

※1:実際の基板はCR5000BDにて設計しています。 CR5000BDのデータを変換し他のツール用データを作成しています。

※2:CR5000BD上でデータ出力しています。

使用東芝製品

品番 製品 搭載部位・数量 特徴
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 1段目ハイサイド・2 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0136 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 60V<VDSS≤150V) 1段目ローサイド・2 N-ch MOSFET, 100 V, 0.0056 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅨ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) 2段目ハイサイド・5 N-ch MOSFET, 30 V, 0.0089 Ω@10V, SOP Advance, U-MOSⅧ-H
パワーMOSFET (N-ch 1素子 VDSS≤30V) 2段目ローサイド・5 N-ch MOSFET, 30 V, 0.00092 Ω@10V, SOP Advance(N), U-MOSⅨ-H

関連ドキュメント

搭載製品のアプリケーションノートなど、類似回路の設計・検討に役立つ資料を提供。各タブをクリックして活用ください。

アプリケーション

サーバー
サーバーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、モーター駆動部、過熱監視部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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