1-2. 真性半導体 Siの特性

伝導帯にある自由に動き回れる電子、価電子帯にある自由に動き回れる正孔は電荷を運ぶ担い手なのでキャリアと呼ばれます。このキャリアの数によって電流の大きさが決まります。詳細な式は省きますがキャリア密度は以下の式で求められます。

図 1-7 不純物の無い真性半導体の状態
図 1-7 不純物の無い真性半導体の状態

不純物の無いSiの各状態を図に示します。非常にわずかな量ですが、伝導帯に電子・価電子帯に正孔が存在します。これらは同一なエネルギーで均一な密度になるように自由に動きます。

n型半導体、p型半導体のキャリア密度は以下のようになります。

図 1-9 n型半導体の状態
図 1-9 n型半導体の状態
図 1-8 p型半導体の状態
図 1-8 p型半導体の状態

1章 ショットキーバリアダイオードの基礎(半導体の基礎)

1. 導体・半導体・絶縁体
1-1. エネルギーバンド図
1-3. pn接合
1-3-1. 順バイアス
1-3-2. 逆バイアス

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