1-3-1. 順バイアス

図 1-13 順バイアス印加時のpn接合
図 1-13 順バイアス印加時のpn接合

p型半導体側にプラス電圧、n型半導体側にマイナス電圧を印加することを順バイアスと言います。順バイアスVFが印加されると、印加された電圧のほとんどはジャンクション面にかかり、拡散電圧をVFだけ押し下げます。この結果、n型半導体では多数キャリアである電子のより濃度の濃い部分までが拡散されることになります。(p型半導体でも多数キャリアの正孔がより濃度の濃い部分までが拡散されます)。n型半導体では電子が拡散により減少した分はバイアスから注入され電子濃度が保たれます。同様にp型半導体では正孔が注入され(電子が引き抜かれ)電流が流れ続けます。

1章 ショットキーバリアダイオードの基礎(半導体の基礎)

1. 導体・半導体・絶縁体
1-1. エネルギーバンド図
1-2. 真性半導体 Siの特性
1-3. pn接合
1-3-2. 逆バイアス

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