3-6. 耐圧

耐圧V_Rはショットキーバリアダイオードに印加できる最大の逆電圧です。
ショットキーバリアダイオードに逆バイアスを印加すると、この電圧は接合部から半導体側に伸びる空乏層に印加されます。この空乏層は製品の濃度により長さ（空乏層幅）が変わり、濃度の高い製品ほど短くなります。また、逆バイアスの電圧を増加させると空乏層は伸び、減少させると縮みます。
印加する電圧と電界の関係は図のように示されます。三角形の面積が印加電圧になります。
印加する電圧を増加すると電界強度は大きくなり、ある電圧（Si　最大電界強度）を超えると過大な電流が流れ素子が破壊します。この最大電界強度を超えない最大の電圧を耐圧として定義しています。
このため、不純物濃度の低い製品ほど耐圧は高くなります。