3-7. リーク電流

順方向の動作では、拡散電位を超えた範囲で半導体側の多数キャリア密度が金属側のキャリア密度を上回り、半導体側から電子が拡散し電流が流れます。
これに対し、逆バイアス時は拡散電位を超えた部分で金属側のキャリア濃度が半導体側のキャリア密度より上回ることから逆方向の電流が流れることになります。この電流をリーク電流と言います。ただし、この拡散電位を超える部分ではキャリア密度が低いため、リーク電流は順方向電流に比べけた違いに小さな電流となります。
pn接合ダイオードに比較し、ショットキーバリアダイオードは拡散電位が低いためリーク電流は比較的低い逆電圧で流れます。また、金属と半導体と言う異種の物質を接合するため、境界面の結晶構造が乱れやすくなっており、これもリークが発生する要因となります。