3-5. 逆回復時間

ダイオードなどの半導体デバイスでは、デバイスがオンの状態で電子やホールは、電流の運び手（キャリア）として働くほかに、ジャンクション境界面の空乏層や寄生容量では電荷として、伝導度変調などでは過剰キャリアとして蓄積されます。これらがオンからオフに移行する時に、コンデンサーが放電するように電子を放出します。この電子の流れが逆方向の電流として観測されます。
電流がゼロとクロスする点（iF=0）から逆電流のピークIrrまでの区間ではVFは正になっているので、空乏層や寄生容量の電荷が主に放出され負の電流が流れます。ピーク逆電流Irr以降の区間は電導度変調による過剰キャリア（電子とホール）が再結合することにより消滅する区間になります。このため、再結合時間（ライフタイム）に依存します。

 

図 3-8　逆回復時間
図 3-8　逆回復時間

既に説明していますが、伝導度変調はpn接合ダイオードなどのバイポーラーデバイスで生じ、ユニポーラーデバイスであるSBDでは原理的に発生しません。このためSBDでは逆回復時間がほとんどありません。
図はpn接合ダイオードの代表として整流ダイオードCRG09A（VR＝400 V　IF=1 A）とファーストリカバリーダイオード　(FRD)　CMF02A（VR＝600 V　IF=1 A） 、ショットキーバリアダイオード　(SBD)　CMS20I40A（VR=40 V　IF=2 A）の逆回復特性の比較です。耐圧が異なるので単純な比較はできませんが、整流ダイオードに対しFRDが小さく、更にSBDではほとんど無いことがわかります。

図 3-9　逆回復特性比較（SR、FRD、SBD）
図 3-9　逆回復特性比較（SR、FRD、SBD）

3章　ショットキーバリアダイオードの基礎

3-1. ダイオードの分類
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3-2. ショットキーバリアダイオードとpn接合ダイオードの比較
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3-3. ショットキーバリアダイオードの用途
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3-4. 順電圧
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3-6. 耐圧
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3-7. リーク電流
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関連情報

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