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MOSFET 電気的特性(ボディダイオード特性)について IDR/IDRP/VDSF/trr/Qrr/dv/dt

パワーMOSFET は、その構造上ソース・ドレイン間にダイオードが等価的に内蔵されます。
このボディダイオードが使用される用途向けの製品に関しては、データシート上に下記特性が記載されています。

  • ドレイン逆電流(連続) /ドレイン逆電流(パルス) IDR/IDRP
    MOSFET のボディーダイオード順方向電流の許容される最大値 です。
  • 順方向電圧(ダイオード)  VDSF
    ボディーダイオードに順方向電流を流した時のドレイン・ソース 間電圧です。
  • 逆回復時間 trr
  • 逆回復電荷量 Qrr
  • ピーク逆回復電流 Irr
    指定の測定条件におけるボディーダイオードの逆回復動作において逆回復電流が
    消滅するまでの時間(trr)及び電荷量(Qrr)です。その時のピーク電流値が Irr です。
  • ダイオード dv/dt 耐量  dv/dt

データシート記載例

項目 記号 測定条件 最小 標準 最大 単位
順方向電圧 (ダイオード) VDSF IDR = 30.8 A, VGS = 0 V - - -1.7 V
逆回復時間 trr IDR = 15.4 A, VGS = 0 V
-dIDR/dt = 100 A/μs
- 135 220 ns
逆回復電荷量 Qrr - 0.6 - μC
ピーク逆回復電流 Irr - 10 - A
ダイオード dv/dt耐量 dv/dt IDR = 15.4 A, VGS = 0 V, VDD = 400 V 50 - - V/ns

ボディダイオードの説明がアプリケーションノート「電気的特性:パワーMOSFET アプリケーションノート(PDF:1,509KB)」にあります。こちらもご参照ください。

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