MOSFET：低RDS(ON)化

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MOSFETの最大の課題は「いかに低いオン抵抗の製品を提供できるか？」になります。
この為には、プロセスを改良し同一素子面積でより低抵抗を実現する必要があります。
その手法は要求される耐圧により異なります。

(1) 高耐圧系：次ページで説明するSuper Junctionプロセスを進化させ、Rdrift層の抵抗値を下げる。
(2) 低耐圧系：トレンチによる微細化を進めRch抵抗を下げる。Waferの薄化によるRsubを下げる。

低オン抵抗化への取組概要
MOSFETのオン抵抗因子
図3-8 MOSFETのオン抵抗因子

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
詳細
BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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MOSFET：安全動作領域(SOA)
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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