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3-9. MOSFET：低RDS(ON)化
「第3章 トランジスター」のPDFダウンロード (PDF:2.1MB)
MOSFETの最大の課題は「いかに低いオン抵抗の製品を提供できるか？」になります。
この為には、プロセスを改良し同一素子面積でより低抵抗を実現する必要があります。
その手法は要求される耐圧により異なります。
(1) 高耐圧系：次ページで説明するSuper Junctionプロセスを進化させ、Rdrift層の抵抗値を下げる。
(2) 低耐圧系：トレンチによる微細化を進めRch抵抗を下げる。Waferの薄化によるRsubを下げる。
第3章 トランジスター
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