スーパージャンクションMOSFETは一般的なD-MOSと何が違いますか？

SJ-MOS（当社ではDTMOSと呼びます。）は、N-層の一部にP層を柱状（Pピラー層）を形成し、P-N層を交互に配置します。

VDSを印加するとドリフト層であるN-層に空乏層が広がりますが、一般的なD-MOS（当社ではπ-MOSと呼びます。）とSJ-MOSではその広がり方が異なります。（電界強度図参照、電界強度は空乏層内の状態を示す。）
D-MOSでは、P/N-層の界面が最も高い電界強度となり、この部分が材料であるシリコンの限界値を超えた場合にブレークオーバー（降伏現象）が発生し、耐圧の限界となります。他方、SJ-MOSは、N-層が均一の電界強度となります。
その結果、SJ-MOSは、より低抵抗のN-層で設計出来ますので低オン抵抗の製品が可能となります。