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スーパージャンクションMOSFET(SJ-MOS)とはどのようなものですか?

スーパージャンクションMOSFET(SJ-MOS)
  1. SJ-MOS(当社ではDTMOSと呼びます。)は、N-層の一部にP層を柱状(Pピラー層)を形成し、P-N層を交互に配置します。
  2. VDSを印加するとドリフト層であるN-層に空乏層が広がりますが、一般的なD-MOS(当社ではπ-MOSと呼びます。)とSJ-MOSではその拡がり方が異なります。(電界強度図参照、電界強度は空乏層内の状態を示す。)
  3. D-MOSでは、P/N-層の界面が最も高い電界強度となり、この部分が材料であるシリコンの限界値を超えた場合にブレークオーバー(降伏現象)が発生し、耐圧の限界となります。他方、SJ-MOSは、N-層が均一の電界強度となります。
  4. その結果、SJ-MOSは、より低抵抗のN-層で設計出来ますので低オン抵抗の製品が可能となります。
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