MOSFET選びにお困りですか？

MOSFETを選ぶ場合、用途に応じて適切な定格、特性を持つ製品を選ぶ必要があります。設計時、どのMOSFETを使うかを悩んだ時、データシートのパラメーターの見方を知っておくと適切なMOSFETの選び方が分かります。ここでは、そのパラメーターの見方を主に説明いたします。

1.構造と特長について-横型/縦型D-MOSとU-MOS
2.MOSFETのデータシート-データシートの見方・確認すべきパラメーターについて

1.構造と特長
　1.1.パワーMOSFETの構造
　1.2.パワーMOSFETの特長
2.データシートの読みかた
　2.1. 絶対最大定格
　　2.1.1.ドレイン・ソース間電圧 V_DSS
　　2.1.2.ゲート・ソース間電圧 V_GSS
　　2.1.3.ドレイン電流 I_D
　　2.1.4.許容損失 P_D
　　2.1.5.アバランシェ電流 I_AS、アバランシェエネルギー E_AS
　　2.1.6.チャネル温度 T_ch、保存温度 T_stg
　　2.1.7.絶縁耐圧 V_{ISO (RMS)}
　2.2.静的特性
　2.3.動的特性
　　2.3.1.静電容量特性
　　2.3.2.実効容量 (エネルギー換算)
　　2.3.3.スイッチング特性
　　2.3.4.dv/dt 耐量
　2.4.電荷容量特性
　　2.4.1.ゲート電荷量
　　2.4.2.ゲート電荷の算出方法
　　2.4.3.出力電荷量 (Q_oss)
　2.5.ソース・ドレイン間特性
　　2.5.1.ボディーダイオード特性
　　2.5.2.ボディーダイオード dv/dt 特性
3.MOSFETの選び方
　3.1.電圧・電流定格
　3.2.V_GS 検討
　3.3.スイッチング速度

ありとあらゆるアプリケーションに使用されるMOSFETならではの、これだけは知っておいて欲しいポイントを、経験豊富なエンジニアが解説しています。回路設計の近道としてぜひご一読ください。

1.寄生発振・振動-スイッチング用途に使用する際の注意事項
2.並列接続-大電流で使用する際の注意事項
3.安全動作領域-温度依存性について/SOAディレーティング方法
4.dv/dt 影響-発生ポイントについて/誤動作や破壊を避けるために

1.MOSFETの発振、振動について (単体使用時)
　1.1.MOSFETの発振
　　1.1.1MOSFETのスイッチング用途における寄生発振 (単独使用)
　　1.1.2.寄生発振回路 (寄生発振ループ)
　　1.1.3.寄生発振条件と改善、対策　
　1.2.ドレインインダクタンス誘起電圧振動
　　1.2.1.メカニズム
　　1.2.2.改善、対策
　1.3.ソース端子、配線の浮遊インダクタンスによる誘起電圧
　　1.3.1.メカニズム
　　1.3.2.改善、対策
2.MOSFETの並列動作について
　2.1.素子特性バラツキによる電流バラツキ (並列動作)
　　2.1.1.定常状態動作時の電流アンバランス
　　2.1.2.スイッチング過渡期における電流アンバランス
　2.2.寄生発振 (並列動作)
　　2.2.1.ドレイン・ソース間電圧振動によるゲート電圧振動
　　2.2.2.並列接続の寄生発振
　　2.2.3.並列接続の場合の寄生発振防止
3.MOSFETの安全動作領域
4.MOSFETのdv/dtとは
　4.1.dv/dt発生のタイミング
　　4.1.1.スイッチング過渡期のdv/dt
　　4.1.2.ダイオード逆回復動作時のdv/dt
　4.2.MOSFETスイッチング動作 (インダクタ負荷)
　　4.2.1.ターンオン時のスイッチング
　　4.2.2.ターンオフ時のスイッチング

なぜ破壊が発生するのか、理由となる現象をわかりやすくご説明します。 MOSFETが最終製品に組み込まれた際生じる可能性のある現象をあらかじめ知ることで、有効な回避策へと繋がります。

1.アバランシェ降伏現象-動作原理と対策について
2.セルフターンオン現象-動作原理と対策について
3.ボディーダイオードの逆回復動作と破壊-原理説明
4.MOSFET の二次降伏 (Second Breakdown: S/B)-原理説明

1.アバランシェ降伏現象
　1.1.電子雪崩降伏 (アバランシェ降伏)
　1.2.ツェナー降伏
　1.3.電子雪崩降伏とツェナー降伏
2.MOSFETにおけるアバランシェ破壊
　2.1.MOSFETにおけるアバランシェ破壊のメカニズム
　2.2.アバランシェエネルギー耐量について
3.セルフターンオン
　3.1.セルフターンオンとは
　3.2.セルフターンオンメカニズム
　3.3.MOSFET セルフターンオン確認方法
　3.4.セルフターンオン ゲート・ソース間外付けコンデンサ効果
　3.5.セルフターンオン 電圧変化 (dv/dt) 効果
　3.6.セルフターンオン ゲート抵抗依存
4.MOSFET ボディーダイオードの逆回復動作と破壊
　4.1.MOSFETのボディーダイオード
　4.2.逆回復
　4.3.ボディーダイオードの逆回復破壊
5.MOSFET 二次降伏
　5.1.MOSFETの安全動作領域 (SOA)
　5.2.MOSFETの二次降伏 (S/B: Secondary Breakdown) とは
　5.3.二次降伏 (S/B) のメカニズム