HN4B102J

高速スイッチング用バイポーラーパワートランジスター

データシート

HN4B102J データシート/日本語[2013年11月]PDF: 260KB

データシート

HN4B102J データシート/英語[2013年11月]PDF: 220KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

アプリケーションノート

小型面実装 バイポーラトランジスタの最大定格[2022年01月]PDF: 995KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎(絶対最大定格と電気的特性)[2021年08月]PDF: 1159KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎(ダイオードの損失と放熱設計)[2021年08月]PDF: 909KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎 (ダイオードの種類とその概要)[2021年08月]PDF: 2147KB

カタログ

セレクションガイド パワーデバイス 2024 Rev2.0[2024年08月]PDF: 10449KB

データシート

HN4B102J データシート/日本語[2013年11月]PDF: 260KB

データシート

HN4B102J データシート/英語[2013年11月]PDF: 220KB

アプリケーションノート

小型面実装 バイポーラトランジスタの最大定格[2022年01月]PDF: 995KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎(絶対最大定格と電気的特性)[2021年08月]PDF: 1159KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎(ダイオードの損失と放熱設計)[2021年08月]PDF: 909KB

アプリケーションノート

ダイオードの基礎 (ダイオードの種類とその概要)[2021年08月]PDF: 2147KB

信頼性情報

信頼性データ[2024年09月]PDF: 330KB

環境関連情報

欧州RoHS指令(2011/65/EU)に関する証明書[2024年11月]PDF: 124KB

環境関連情報

REACH SVHCに関する証明書[2024年11月]PDF: 104KB

カタログ

セレクションガイド パワーデバイス 2024 Rev2.0[2024年08月]PDF: 10449KB

製品概要

用途 MOSゲート駆動用
特長 低飽和電圧
極性 NPN + PNP
内部接続 エミッターコモン
RoHS Compatible Product(s) (#) 適合品あり

パッケージ

東芝パッケージ名 SOT-25 (SMV)
外観 SMV
JEITA SC-74A
パッケージコード SOT-25
ピン数 5
実装区分 表面実装
パッケージ寸法
幅×長さ×高さ (mm)		 2.9×2.8×1.1
パッケージ寸法図 表示
参考パッド寸法図 表示
CADデータ
(シンボル/フットプリント/3Dモデル)		 UltraLibrarian<sup>®</sup>から所望のCADフォーマットでダウンロード (注) UltraLibrarian®から所望のCADフォーマットでダウンロード (注)

 詳細は東芝パッケージ名のリンク先をご確認ください。

 注：Ultra Librarian® はEMA社（EMA Design Automation, Inc.）のCADデータライブラリおよびその登録商標です。

絶対最大定格

項目 記号 値 単位
コレクター電流 (Q1) IC 2 A
コレクター電流 (Q2) IC -1.8 A
コレクター電流 (Q1) ICP 8 A
コレクター電流 (Q2) ICP -8 A
コレクター損失 (Q1/Q2) (FR4基板(Cu面積645mm**2, ガラスエポキシ t=1.6mm)実装時) PC 1.1 W
コレクター-ベース間電圧 (Q1) VCBO 60 V
コレクター-ベース間電圧 (Q2) VCBO -30 V
コレクター-エミッター間電圧 (Q1) VCEO 30 V
コレクター-エミッター間電圧 (Q2) VCEO -30 V

電気的特性

項目 記号 測定条件 値 単位
直流電流増幅率 (Q1) (Max) hFE IC=-0.2A
VCE=-2V		 500 -
直流電流増幅率 (Q1) (Min) hFE IC=-0.2A
VCE=-2V		 200 -
直流電流増幅率 (Q2) (Max) hFE IC=0.2A
VCE=2V		 500 -
直流電流増幅率 (Q2) (Min) hFE IC=0.2A
VCE=2V		 200 -
コレクター-エミッター間 飽和電圧 (Q1) (Max) VCE(sat) IB=-20mA
IC=-0.6A		 -0.2 V
コレクター-エミッター間 飽和電圧 (Q2) (Max) VCE(sat) IB=20mA
IC=0.6A		 0.14 V
ご購入・サンプル請求のご案内
お取引のある販売店、または、当社特約店、オンラインディストリビューターまでご相談下さい。
オンラインでの少量サンプルのご購入については、以下のボタンから検索が可能です。

ドキュメント

  • チェックボックスが無効化されているドキュメントは、一括ダウンロードの対象外です。

2024年09月

2024年11月

2024年11月

オーダー品番

オーダー品番（代表例） MOQ(pcs) 信頼性データ RoHS
HN4B102J(TE85L,F) 3000 Yes

アプリケーション

IoTセンサー
IoTセンサーの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、各種センサー信号入力部、制御部、表示部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
IH炊飯器
IH炊飯器の設計では、高電圧対応、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、IHコイル駆動部、モーター駆動部、ヒーター制御部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
詳細
サーモスタット
サーモスタットの設計では、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、絶縁部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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電子レンジ
電子レンジの設計では、低ノイズ化、低消費電力化や小型化などが重要です。ここでは回路構成例などとともに、電源部、マグネトロン駆動回路部、各種センサー信号入力部などに適した幅広い半導体製品の情報を提供しています。
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