MOSFET内蔵マルチチップモジュールによる効率の向上と大電流化

MOSFET内蔵マルチチップモジュールによる効率の向上と大電流化

マルチチップモジュール製品は、モーター用途に適した、逆回復時間(trr)の速いボディーダイオードを内蔵したMOSFETを使用しています。最新製品は、正弦波駆動において従来製品比で約38%の損失低減により高効率を実現しています。当社の製品は、20 x 14.2 x 2.2 mmの小型面実装パッケージ(SSOP30)で定格電流5Aまで製品をラインアップしており、また、各相のローサイド素子のソース端子が分離しており、当社のマイクロコントローラー(MCU)やモータードライバー(MCD)と組み合わせることにより、3シャント方式によるベクトル制御などのセンサーレス制御にも対応できます。

最新製品は、低オン抵抗化が可能で、当社ディスクリートMOSFETで長年の市場実績を持つ逆回復時間(trr)の速いボディーダイオード(HSD:High Speed Diode)内蔵の600V耐圧スーパージャンクション(Super Junction)構造のMOSFETを搭載することにより、正弦波駆動において従来製品比で約1.8W(@入力電力=40W時)と、約38%の損失低減により高効率を実現しています。

三相ブラシレスDCモータードライバーIC マルチチップモジュール

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