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バイポーラ出力からDMOS出力で低on抵抗を実現

バイポーラ出力からDMOS出力で低on抵抗を実現

DMOS FET出力の採用による高効率・大電流出力を実現します。

40年の実績をもつバイポーラートランジスターアレイは、様々な用途で使用されてきましたが、入力電流が大きく、駆動用の付加回路が必要となる場合がありました。

新世代のDMOS FET型トランジスターアレイは、入力電流を大幅に削減し、MCUとの接続が容易になりました。また、出力回路の低Ron化により、高耐圧かつ低消費電力を実現しています。

  • 当社従来製品と比べ、電力損失を約40%低減。(条件: Ta=25℃, IOUT=200mA において)
  • 低入力電流0.1mA(最大) (条件: VIN=3 V において)
  • 出力部の絶対最大定格50V、大電流出力1.5A (TBD62064Aシリーズ、TBD62308Aシリーズ)

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