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クロスリファレンスでは参考品名が表示されますので、製品に関する最新の情報をデータシート等でご確認の上、単独およびシステム全体で十分に評価し、お客様の責任において適用可否を判断してください。参考にしている情報は、取得した時点の各メーカーの公式情報に基づいた当社の推定によるものです。当社は、情報の正確性、完全性に関して一切の保証をいたしません。また、情報は予告なく変更されることがあります。
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当社の30V耐圧の低オン抵抗NチャネルコモンドレインMOSFET「SSM10N961L」は、USB搭載機器やバッテリーパック保護用途に適した製品です。
本製品は、MOSFETを2素子搭載しているデュアルタイプ1パッケージで、chip LGAパッケージTCSPAG-341501 (3.37mm×1.47mm (typ.)) に実装することで、小型薄型かつ低オン抵抗 (Rss(on) 9.9mΩ typ.@ VGS=10V) という特長をもっています。
(特に指定のない限り、Ta=25°C)
[注1] ガラスエポキシ基板 (FR4、25mm×27.5mm、t=1.6mm、Cu Pad: 18µm、407mm2) の場合。
[注2] ガラスエポキシ基板 (FR4、25mm×27.5mm、t=1.6mm、Cu Pad: 70µm、687.5mm2) の場合。
高い電力給電が必要な電子機器に向け策定された、15W (5V/3A) から最大100W (20V/5A)まで給電できるUSB Power Delivery (USB PD) 規格には、送電側と受電側を入れ替えるロールスワップ機能があり、USB充電機器は送電と受電の両方に対応できるように双方向の電力供給が求められています。本製品は、小さな実装面積で低オン抵抗を実現しており、高い電流による発熱問題を回避し、双方向の電力供給に対応できるNチャネルコモンドレインMOSFETとなります。
本製品は、当社MOSFET用ドライバーICのTCK42xGシリーズと組み合わせて使用することで、逆流防止機能を備えたロードスイッチ回路や、MBB (Make-Before-Break) とBBM (Break-Before-Make) の動作切り替えが可能なパワーマルチプレクサー回路を構成できます。組み合わせ動作検証済のリファレンスデザイン「パワーマルチプレクサー回路 (コモンドレインMOSFET応用)」を公開しており、機器の設計・開発期間の短縮が可能です。
製品の詳細については下記ページをご覧ください。
当社のMOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
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