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放熱効果の高い両面放熱パッケージDSOP Advanceは、大電流用途の電源機器の高効率化に貢献

DSOP Advanceパッケージは、チップからの熱を逃がすためパッケージ上面に金属板(E-Pad)を配置しています。この金属板による放熱効果の向上は、大電流通電時のMOSFETの温度の上昇を低減し、電源回路の電力密度と効率の向上に貢献します。DSOP Advanceの熱抵抗 Rth(ch-c)を同一パッケージサイズのSOP Advanceと比較すると45%低減しています。DSOP AdvanceのフットパターンはSOP Advanceと同様のため、基板のレイアウトを変更することなく置き換えが可能です。

放熱効果の高い両面パッケージ、大電流用途の高効率化に貢献
デバイス温度比較

当社の30V耐圧品TPHR9003NLをTPWR8503NLへ置き換えた場合、MOSFETの温度が10.3℃低減します。さらにヒートシンクを実装した場合、素子温度が最大で26℃低減します。

放熱シミュレーション結果(SOP Advance vs. DSOP Advance)

放熱シミュレーション結果(SOP Advance vs. DSOP Advance)

下図は、SOP AdvanceとDSOP Advanceの放熱シミュレーションを比較した結果です。上段は放熱状態を横から見た図であり、下段は上から見た図です。両面放熱タイプのDSOP Advanceは、片面放熱タイプのSOP AdvanceよりもMOSFETの温度が約40%低減されています。

DSOP AdvanceパッケージMOSFET

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