民生・産業用機器の小型・低消費電力化に貢献するNチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFET

これは、民生・産業用機器の小型・低消費電力化に貢献するNチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFETの画像です。

当社は、民生・産業用機器向け単相ブラシレスDCモーターやブラシ付きDCモーターの制御、電源ラインのロードスイッチなどの用途に適した、30V耐圧Nチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFET「SSM6L826R」を製品化しました。

新製品SSM6L826Rは、フラットリードによりパッケージのチップ搭載能力が向上したTSOP6Fパッケージ (2.9×2.8×0.8mm) を採用しています。これにより、NチャネルMOSFETは46mΩ (max) (VGS=10V)[注1]、PチャネルMOSFETは45mΩ (max) (VGS=-10V)[注2]の低いドレイン・ソース間オン抵抗 (RDS(ON)) となり、小型化と低消費電力化を両立しています。

NチャネルMOSFETとPチャネルMOSFETのRDS(ON)がほぼ同等であるので、導通損失もほぼ同等となり設計が容易になります。さらに、独立端子のNチャネルMOSFETとPチャネルMOSFETのデュアル構成となっているため、単相ブラシレスDCモーターやブラシ付きDCモーターの駆動用として適しています。また、PチャネルMOSFETを電源ラインのON/OFF制御、NチャネルMOSFETをそのゲート制御に用いるロードスイッチ用途にも活用でき、部品実装面積と部品点数の削減に貢献します。

今回の製品追加により、TSOP6Fパッケージを採用したデュアルタイプのMOSFET製品は、デュアルNチャネルMOSFETの製品が3品種[注3]、デュアルPチャネルMOSFETの製品が1品種[注3]、Nチャネル＋PチャネルMOSFETの製品が2品種[注3]となり、製品選択の幅が広がりました。

当社は今後も、高効率・低損失・小型化に対応したMOSFET製品のラインアップの拡充を行っていきます。

[注1] 測定条件 : ID=4.0A、Ta=25°C
[注2] 測定条件 : ID=-4.0A、Ta=25°C
[注2] 2026年3月時点

新製品の主な特長

  1. Nチャネル / PチャネルMOSFETのRDS(ON)が低く、値がほぼ同等
  2. 基板実装面積の削減に貢献する Nチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFET
  3. 小型・高許容損失パッケージを採用

特長の解説

1. Nチャネル / PチャネルMOSFETのRDS(ON)が低く、値がほぼ同等

Nチャネル / PチャネルMOSFETのRDS(ON)が低く、値はほぼ同等です。これにより導通損失を低減し、機器の低消費電力化に貢献します。さらにRDS(ON)の値が揃っているため、導通損失もほぼ同等となり、回路の設計が容易になります。

NチャネルMOSFET : RDS(ON)=46mΩ (max) (VGS=10V)[注1]
PチャネルMOSFET : RDS(ON)=45mΩ (max) (VGS=-10V)[注2]

2. 基板実装面積の削減に貢献するNチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFET

これは、図1. 単相ブラシレスDCモーター、およびブラシ付きDCモーター駆動回路への適用例の画像です。
図1. 単相ブラシレスDCモーター、およびブラシ付きDCモーター駆動回路への適用例

新製品はNチャネル＋Pチャネル構成のデュアルMOSFETであることから、単相ブラシレスDCモーターおよびブラシ付きDCモーターの駆動回路に適用することで、部品点数と基板実装面積の削減に貢献します。

これは、図2. 基板実装面積比較の画像です。
図2. 基板実装面積比較

3. 小型・高許容損失パッケージを採用

これは、図3. TSOP6Fパッケージ外観図の画像です。
図3. TSOP6Fパッケージ外観図

新製品は2.9×2.8×0.8mmの小型TSOP6Fパッケージを採用しており、実装面積の削減に貢献します。また、フラットリードにより、小型パッケージでありながら1.0W[注4]の高い許容損失 (PD) を実現しています。

[注4] 測定条件 : ガラスエポキシ基板 (FR4、25.4×25.4×1.6mm、Cu pad : 645mm2) に実装

アプリケーション

  • 産業用機
    サーバー (冷却ファンなど)
  • 民生用機器
    デスクトップPC (冷却ファンなど)
    家庭用電化製品 (ロボットクリーナーなど)
    ヘルスケア機器 (電気シェーバー、電動歯ブラシなど)

 

新製品の主な仕様

(Ta＝25°C)

品番 極性 パッケージ 絶対最大定格 電気的特性

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名称 サイズ
 (mm)		 ドレイン・
ソース間
電圧
VDSS
(V)		 ゲート・
ソース間
電圧
VGSS
(V)

ドレイン
電流

(DC)

ID
(A)

 ドレイン・
ソース間
オン抵抗
RDS(ON)
(mΩ)		 入力容量　
Ciss　
(pF)		 ゲート
入力電荷量
Qg
(nC)
VGS=
|4.5V|		 VGS=
|10V|
Typ. Max Max Typ. Typ.
SSM6L826R

Nチャネル

＋

Pチャネル

 TSOP6F 2.9×2.8
×0.8		 30 +20/-12 4 64 46 280 2.5 Buy Online
-30 -20/+10 -4 73 45 492 6.2
SSM6L807R
[注5]

Nチャネル

＋

Pチャネル

 TSOP6F 2.9×2.8
×0.8		 30 ±12 4 39.1 - 310 3.2 Buy Online
-20 ±12 -4 56 45 480 6.74
SSM6N815R
[注5]

Nチャネル

デュアル

 TSOP6F 2.9×2.8
×0.8		 100 ±20 2 142 103 290 3.1 Buy Online
SSM6N813R
[注5]

Nチャネル

デュアル

 TSOP6F 2.9×2.8
×0.8		 100 ±20 3.5 154 112 242 3.6 Buy Online
SSM6P816R
[注5]

Pチャネル

デュアル

 TSOP6F 2.9×2.8
×0.8		 -20 ±10 -6 30.1 - 1030 16.6 Buy Online

[注5] 既存製品

関連コンテンツ

Selection Guide Small Signal and Logic (PDF: 8.71MB)
小型パッケージMOSFETのご紹介 (PDF: 5.59MB)

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