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東芝小型、低オン抵抗MOSFETは、優れたトレンチプロセス技術をもちいることで、1.2Vから10Vまでの幅広い駆動電圧範囲において、低RON特性を実現しました。
特に最新世代のPchプロセス(U-MOSⅦ)は、微細化を進めることで旧世代プロセスと比較し重要な性能指標であるオン抵抗を約70%低減させることに成功しています。
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